नैज अर्धचालक - Revision history

Vinamra: /* गणितीय समीकरण */

2023-11-01T08:13:19Z

गणितीय समीकरण

@@ Line 28: / Line 28: @@
 <math>\sigma = n\cdot \mu_e + p\cdot \mu_h, </math>
-ज हाँ:
+जहाँ:
    <math>\sigma</math> विद्युत चालकता है
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 इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और छिद्र गतिशीलता इस बात का माप है कि इलेक्ट्रॉन और छिद्र क्रिस्टल के माध्यम से कितनी आसानी से आगे बढ़ सकते हैं।
-<math>\sigma = n\cdot\mu_e + p\cdot\mu_h,
+== सांद्रता का वर्णन ==
-</math>
+निम्नलिखित समीकरण एक आंतरिक अर्धचालक में मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की सांद्रता का वर्णन करता है:
 [[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Vinamra: /* गणितीय समीकरण */

2023-11-01T06:38:38Z

गणितीय समीकरण

← Older revision		Revision as of 12:08, 1 November 2023
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	इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और छिद्र गतिशीलता इस बात का माप है कि इलेक्ट्रॉन और छिद्र क्रिस्टल के माध्यम से कितनी आसानी से आगे बढ़ सकते हैं।		इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और छिद्र गतिशीलता इस बात का माप है कि इलेक्ट्रॉन और छिद्र क्रिस्टल के माध्यम से कितनी आसानी से आगे बढ़ सकते हैं।

	निम्नलिखित समीकरण एक आंतरिक अर्धचालक में मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की सांद्रता का वर्णन करता है:<math>\sigma = n\cdot\mu_e + p\cdot\mu_h,		<math>\sigma = n\cdot\mu_e + p\cdot\mu_h,
	</math>		</math>
	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Vinamra: /* गणितीय समीकरण */

2023-11-01T06:38:10Z

गणितीय समीकरण

← Older revision		Revision as of 12:08, 1 November 2023
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	ऊष्मीय रूप से उत्तेजित इलेक्ट्रॉनों की संख्या निषिद्ध ऊर्जा अंतराल और तापमान पर निर्भर करती है। छोटे निषिद्ध ऊर्जा अंतराल वाली सामग्रियों में अधिक तापीय रूप से उत्तेजित इलेक्ट्रॉन होते हैं और इसलिए वे अधिक प्रवाहकीय होते हैं।		ऊष्मीय रूप से उत्तेजित इलेक्ट्रॉनों की संख्या निषिद्ध ऊर्जा अंतराल और तापमान पर निर्भर करती है। छोटे निषिद्ध ऊर्जा अंतराल वाली सामग्रियों में अधिक तापीय रूप से उत्तेजित इलेक्ट्रॉन होते हैं और इसलिए वे अधिक प्रवाहकीय होते हैं।

	== ~~छेद~~ ==		== छिद्र (होल) ==
	जब एक इलेक्ट्रॉन वैलेंस बैंड से चालन बैंड तक थर्मल रूप से उत्तेजित होता है, तो यह वैलेंस बैंड में एक छेद छोड़ देता है। छेद वैलेंस बैंड में एक रिक्त स्थान है जिसे दूसरे इलेक्ट्रॉन द्वारा भरा जा सकता है।		जब एक इलेक्ट्रॉन वैलेंस बैंड से चालन बैंड तक थर्मल रूप से उत्तेजित होता है, तो यह वैलेंस बैंड में एक छेद छोड़ देता है। छेद वैलेंस बैंड में एक रिक्त स्थान है जिसे दूसरे इलेक्ट्रॉन द्वारा भरा जा सकता है।

Line 24:		Line 24:

	== गणितीय समीकरण ==		== गणितीय समीकरण ==
	निम्नलिखित गणितीय समीकरण एक आंतरिक अर्धचालक की विद्युत चालकता का वर्णन करते हैं:		निम्नलिखित गणितीय समीकरण एक आंतरिक अर्धचालक की विद्युत चालकता का वर्णन करते हैं:

	<math>\sigma = n\cdot\mu_e + p\cdot\mu_h,</math>		<math>\sigma = n\cdot \mu_e + p\cdot \mu_h, </math>

			ज हाँ:

			<math>\sigma</math> विद्युत चालकता है

			<math>n</math> मुक्त इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है

			<math>p</math> मुक्त छिद्रों की सांद्रता है

			<math>\mu_e</math> इलेक्ट्रॉन गतिशीलता है

			<math>\mu_h</math>छिद्र की गतिशीलता है

			इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और छिद्र गतिशीलता इस बात का माप है कि इलेक्ट्रॉन और छिद्र क्रिस्टल के माध्यम से कितनी आसानी से आगे बढ़ सकते हैं।

			निम्नलिखित समीकरण एक आंतरिक अर्धचालक में मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की सांद्रता का वर्णन करता है:<math>\sigma = n\cdot\mu_e + p\cdot\mu_h,
			</math>
	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Vinamra at 06:34, 1 November 2023

2023-11-01T06:34:07Z

← Older revision		Revision as of 12:04, 1 November 2023
Line 1:		Line 1:
	Intrinsic semiconductor		Intrinsic semiconductor

			अर्धचालक वे सामग्रियां हैं जिनकी विद्युत चालकता एक कंडक्टर और एक इन्सुलेटर के बीच होती है। उनके पास इलेक्ट्रॉनिक्स में ट्रांजिस्टर, डायोड, सौर सेल और एकीकृत सर्किट सहित अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है।

			आंतरिक अर्धचालक वे अर्धचालक होते हैं जो अशुद्धियों से मुक्त होते हैं। दूसरे शब्दों में, वे रासायनिक रूप से शुद्ध हैं। आंतरिक अर्धचालकों की विद्युत चालकता वैलेंस बैंड से चालन बैंड तक इलेक्ट्रॉनों के थर्मल उत्तेजना द्वारा निर्धारित की जाती है।

			== ऊर्जा बैंड संरचना ==
			आंतरिक अर्धचालकों को समझने के लिए, ठोस पदार्थों की ऊर्जा बैंड संरचना को समझना महत्वपूर्ण है। ठोस पदार्थों में एक अलग ऊर्जा बैंड संरचना होती है, जिसका अर्थ है कि कुछ निश्चित ऊर्जा श्रेणियां हैं जिन पर इलेक्ट्रॉनों को कब्जा करने की अनुमति है और अन्य ऊर्जा श्रेणियां निषिद्ध हैं।

			वैलेंस बैंड उच्चतम ऊर्जा बैंड है जो पूर्ण शून्य तापमान पर पूरी तरह से इलेक्ट्रॉनों से भरा होता है। चालन बैंड अगला उच्चतम ऊर्जा बैंड है, और यह पूर्ण शून्य तापमान पर खाली होता है। वैलेंस बैंड और चालन बैंड के बीच एक निषिद्ध ऊर्जा अंतर है।

			== थर्मल उत्तेजना ==
			पूर्ण शून्य से ऊपर के तापमान पर, वैलेंस बैंड में कुछ इलेक्ट्रॉनों को चालन बैंड में थर्मल रूप से उत्तेजित किया जा सकता है। ये उत्तेजित इलेक्ट्रॉन क्रिस्टल के माध्यम से स्वतंत्र रूप से घूम सकते हैं, जिससे विद्युत चालकता में योगदान होता है।

			ऊष्मीय रूप से उत्तेजित इलेक्ट्रॉनों की संख्या निषिद्ध ऊर्जा अंतराल और तापमान पर निर्भर करती है। छोटे निषिद्ध ऊर्जा अंतराल वाली सामग्रियों में अधिक तापीय रूप से उत्तेजित इलेक्ट्रॉन होते हैं और इसलिए वे अधिक प्रवाहकीय होते हैं।

			== छेद ==
			जब एक इलेक्ट्रॉन वैलेंस बैंड से चालन बैंड तक थर्मल रूप से उत्तेजित होता है, तो यह वैलेंस बैंड में एक छेद छोड़ देता है। छेद वैलेंस बैंड में एक रिक्त स्थान है जिसे दूसरे इलेक्ट्रॉन द्वारा भरा जा सकता है।

			छेद क्रिस्टल के माध्यम से इलेक्ट्रॉनों की तरह ही घूम सकते हैं, लेकिन विपरीत दिशा में। इसलिए छिद्रों को धनात्मक रूप से आवेशित आवेश वाहक माना जाता है।

			== इलेक्ट्रिकल कंडक्टीविटी ==
			एक आंतरिक अर्धचालक की विद्युत चालकता क्रिस्टल में मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की संख्या के समानुपाती होती है। मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की संख्या वैलेंस बैंड से चालन बैंड तक इलेक्ट्रॉनों के थर्मल उत्तेजना द्वारा निर्धारित की जाती है।

			== गणितीय समीकरण ==
			निम्नलिखित गणितीय समीकरण एक आंतरिक अर्धचालक की विद्युत चालकता का वर्णन करते हैं:

			<math>\sigma = n\cdot\mu_e + p\cdot\mu_h,</math>
	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Sarika at 06:42, 3 August 2023

2023-08-03T06:42:09Z

← Older revision		Revision as of 12:12, 3 August 2023
Line 1:		Line 1:
	Intrinsic semiconductor		Intrinsic semiconductor

	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Sarika at 06:35, 3 August 2023

2023-08-03T06:35:46Z

← Older revision		Revision as of 12:05, 3 August 2023
Line 1:		Line 1:
	Intrinsic semiconductor		Intrinsic semiconductor

	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]]

Vinamra: added Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ using HotCat

2023-04-07T12:11:14Z

added Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ using HotCat

← Older revision		Revision as of 17:41, 7 April 2023
Line 1:		Line 1:
	Intrinsic semiconductor		Intrinsic semiconductor

			[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]]

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2023-01-28T08:00:40Z

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Intrinsic semiconductor