पश्चदिशिक बायसित - Revision history

Neeraja: /* कार्य सिद्धांत */

2024-09-24T09:38:42Z

कार्य सिद्धांत

← Older revision		Revision as of 15:08, 24 September 2024
Line 8:		Line 8:
	जब पी-एन जंक्शन पर पश्चदिशिक बायसित लागू किया जाता है, तो निम्नलिखित होता है:		जब पी-एन जंक्शन पर पश्चदिशिक बायसित लागू किया जाता है, तो निम्नलिखित होता है:

	* पी-साइड पर छेद वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं।		* पी-साइड पर छेद वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं।
	* यह जंक्शन पर एक कमी क्षेत्र बनाता है, जो बहुत कम मुक्त चार्ज वाहक वाला क्षेत्र है।		* यह जंक्शन पर एक कमी क्षेत्र बनाता है, जो बहुत कम मुक्त चार्ज वाहक वाला क्षेत्र है।
	* पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज बढ़ने पर कमी क्षेत्र चौड़ा हो जाता है।		* पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज बढ़ने पर कमी क्षेत्र चौड़ा हो जाता है।

	== विपरीत पूर्वाग्रह विशेषताएँ ==		== विपरीत पूर्वाग्रह विशेषताएँ ==
	पश्चदिशिक बायसित की कुछ महत्वपूर्ण विशेषताएं निम्नलिखित हैं:		पश्चदिशिक बायसित की कुछ महत्वपूर्ण विशेषताएं निम्नलिखित हैं:

	===== ब्रेकडाउन वोल्टेज =====		===== '''ब्रेकडाउन वोल्टेज''' =====
	ब्रेकडाउन वोल्टेज पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज है जिस पर पी-एन जंक्शन टूट जाता है और करंट प्रवाहित होने लगता है।		ब्रेकडाउन वोल्टेज पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज है जिस पर पी-एन जंक्शन टूट जाता है और करंट प्रवाहित होने लगता है।

	===== रिवर्स करंट =====		===== '''रिवर्स करंट''' =====
	रिवर्स करंट वह छोटी धारा है जो पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शन से बहती है।		रिवर्स करंट वह छोटी धारा है जो पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शन से बहती है।

	===== कैपेसिटेंस =====		===== '''कैपेसिटेंस''' =====
	पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शनों में कैपेसिटेंस होता है।		पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शनों में कैपेसिटेंस होता है।

Vinamra at 12:05, 3 November 2023

2023-11-03T12:05:01Z

Vinamra: /* गणितीय समीकरण */

2023-11-03T12:03:28Z

गणितीय समीकरण

← Older revision		Revision as of 17:33, 3 November 2023
Line 27:		Line 27:
	निम्नलिखित गणितीय समीकरण रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन में कमी क्षेत्र की चौड़ाई का वर्णन करता है:		निम्नलिखित गणितीय समीकरण रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन में कमी क्षेत्र की चौड़ाई का वर्णन करता है:

	W= √(~~2εV_bi~~ / q(N_a N_d))		<math>W= \sqrt {(2\epsilon V_{bi} / q(N_a+N_d))},</math>

	जहाँ:		जहाँ:

	* W ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई है		* <math>W</math> ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई है
	* ε अर्धचालक पदार्थ की विद्युतशीलता है		* <math>\epsilon </math> अर्धचालक पदार्थ की विद्युतशीलता है
	* ~~V_bi~~ अंतर्निहित संभावित अवरोध है		* <math>V_{bi}</math> अंतर्निहित संभावित अवरोध है
	* q प्राथमिक आवेश है		* <math>q</math> प्राथमिक आवेश है
	* N_a पी-साइड पर स्वीकर्ता अशुद्धियों की सांद्रता है		* <math>N_a</math> पी-साइड पर स्वीकर्ता अशुद्धियों की सांद्रता है
	* N_d एन-साइड पर दाता अशुद्धियों की सांद्रता है		* <math>N_d</math>एन-साइड पर दाता अशुद्धियों की सांद्रता है

	निम्नलिखित गणितीय समीकरण रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन में रिवर्स करंट का वर्णन करता है:		निम्नलिखित गणितीय समीकरण रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन में रिवर्स करंट का वर्णन करता है:

	I_r = I_s * (exp(qV_r / kT) - 1)		<math>I_r = I_s * (exp(qV_r / kT) - 1),</math>

	जहाँ:		जहाँ:

	* I_r विपरीत धारा है		* <math>I_r</math> विपरीत धारा है
	* I_s संतृप्ति धारा है		* <math>I_s</math> संतृप्ति धारा है
	* V_r रिवर्स बायस वोल्टेज है		* <math>V_r</math>रिवर्स बायस वोल्टेज है
	* k बोल्ट्ज़मान स्थिरांक है		* <math>k</math> बोल्ट्ज़मान स्थिरांक है
	* T केल्विन में तापमान है		* <math>T</math> केल्विन में तापमान है

	== रेखांकन ==		== रेखांकन ==

Vinamra: /* रेखांकन */

2023-11-03T11:49:05Z

रेखांकन

← Older revision		Revision as of 17:19, 3 November 2023
Line 57:		Line 57:
	ग्राफ से पता चलता है कि कमी क्षेत्र की चौड़ाई रिवर्स बायस वोल्टेज के साथ बढ़ती है।		ग्राफ से पता चलता है कि कमी क्षेत्र की चौड़ाई रिवर्स बायस वोल्टेज के साथ बढ़ती है।
	[[File:PN Junction in Reverse Bias.png\|thumb\|रिवर्स बायस में पीएन जंक्शन]]		[[File:PN Junction in Reverse Bias.png\|thumb\|रिवर्स बायस में पीएन जंक्शन]]
	~~निम्नलिखित~~ ग्राफ एक विशिष्ट पी-एन जंक्शन के लिए रिवर्स करंट और रिवर्स बायस वोल्टेज के बीच संबंध दिखाता है:		ग्राफ एक विशिष्ट पी-एन जंक्शन के लिए रिवर्स करंट और रिवर्स बायस वोल्टेज के बीच संबंध दिखाता है:

	ग्राफ से पता चलता है कि रिवर्स बायस वोल्टेज के साथ रिवर्स करंट तेजी से बढ़ता है।		ग्राफ से पता चलता है कि रिवर्स बायस वोल्टेज के साथ रिवर्स करंट तेजी से बढ़ता है।

Vinamra: /* गणितीय समीकरण */

2023-11-03T11:47:46Z

गणितीय समीकरण

@@ Line 27: / Line 27: @@
 निम्नलिखित गणितीय समीकरण रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन में कमी क्षेत्र की चौड़ाई का वर्णन करता है:
-डब्ल्यू = √(2εV_bi / q(N_a N_d))
+W= √(2εV_bi / q(N_a N_d))
 जहाँ:
@@ Line 50: / Line 50: @@
 *    T केल्विन में तापमान है
 [[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Vinamra at 11:23, 3 November 2023

2023-11-03T11:23:05Z

← Older revision		Revision as of 16:53, 3 November 2023
Line 1:		Line 1:
	Reverse bias		Reverse bias

			रिवर्स बायस एक ऐसी स्थिति है जिसमें एक पी-एन जंक्शन अपने प्राकृतिक फॉरवर्ड बायस के विपरीत दिशा में बायस्ड होता है। पी-एन जंक्शन में, पी-साइड में छिद्रों की उच्च सांद्रता होती है और एन-साइड में इलेक्ट्रॉनों की उच्च सांद्रता होती है। जब आगे का पूर्वाग्रह लागू किया जाता है, तो पी-साइड पर छेद और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन जंक्शन के विपरीत पक्षों की ओर आकर्षित होते हैं, जिससे करंट का प्रवाह होता है।

			रिवर्स बायस में, पी-साइड वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल से जुड़ा होता है और एन-साइड वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल से जुड़ा होता है। यह जंक्शन पर एक संभावित अवरोध पैदा करता है जो धारा के प्रवाह को रोकता है।यह जंक्शन पर एक संभावित अवरोध पैदा करता है जो धारा के प्रवाह को रोकता है।

			== कार्य सिद्धांत ==
			जब पी-एन जंक्शन पर रिवर्स बायस लागू किया जाता है, तो निम्नलिखित होता है:

			* पी-साइड पर छेद वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं।
			* यह जंक्शन पर एक कमी क्षेत्र बनाता है, जो बहुत कम मुक्त चार्ज वाहक वाला क्षेत्र है।
			* रिवर्स बायस वोल्टेज बढ़ने पर कमी क्षेत्र चौड़ा हो जाता है।

			== विपरीत पूर्वाग्रह विशेषताएँ ==
			रिवर्स बायस की कुछ महत्वपूर्ण विशेषताएं निम्नलिखित हैं:

			===== ब्रेकडाउन वोल्टेज =====
			ब्रेकडाउन वोल्टेज रिवर्स बायस वोल्टेज है जिस पर पी-एन जंक्शन टूट जाता है और करंट प्रवाहित होने लगता है।

			===== रिवर्स करंट =====
			रिवर्स करंट वह छोटी धारा है जो रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन से बहती है।

			===== कैपेसिटेंस =====
			रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शनों में कैपेसिटेंस होता है।

			== गणितीय समीकरण ==
			निम्नलिखित गणितीय समीकरण रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन में कमी क्षेत्र की चौड़ाई का वर्णन करता है:

			डब्ल्यू = √(2εV_bi / q(N_a N_d))

			जहाँ:

			* W ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई है
			* ε अर्धचालक पदार्थ की विद्युतशीलता है
			* V_bi अंतर्निहित संभावित अवरोध है
			* q प्राथमिक आवेश है
			* N_a पी-साइड पर स्वीकर्ता अशुद्धियों की सांद्रता है
			* N_d एन-साइड पर दाता अशुद्धियों की सांद्रता है

			निम्नलिखित गणितीय समीकरण रिवर्स बायस्ड पी-एन जंक्शन में रिवर्स करंट का वर्णन करता है:

			I_r = I_s * (exp(qV_r / kT) - 1)

			जहाँ:

			* I_r विपरीत धारा है
			* I_s संतृप्ति धारा है
			* V_r रिवर्स बायस वोल्टेज है
			* k बोल्ट्ज़मान स्थिरांक है
			* T केल्विन में तापमान है

	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Sarika at 06:42, 3 August 2023

2023-08-03T06:42:19Z

← Older revision		Revision as of 12:12, 3 August 2023
Line 1:		Line 1:
	Reverse bias		Reverse bias

	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]

Sarika at 06:35, 3 August 2023

2023-08-03T06:35:55Z

← Older revision		Revision as of 12:05, 3 August 2023
Line 1:		Line 1:
	Reverse bias		Reverse bias

	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]]

Vinamra: added Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ using HotCat

2023-04-07T12:59:06Z

added Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ using HotCat

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	Reverse bias		Reverse bias

			[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]]

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Reverse bias

← Older revision		Revision as of 17:35, 3 November 2023
Line 1:		Line 1:
	Reverse bias		Reverse bias

	रिवर्स बायस एक ऐसी स्थिति है जिसमें एक पी-एन जंक्शन अपने प्राकृतिक फॉरवर्ड बायस के विपरीत दिशा में बायस्ड होता है। पी-एन जंक्शन में, पी-साइड में छिद्रों की उच्च सांद्रता होती है और एन-साइड में इलेक्ट्रॉनों की उच्च सांद्रता होती है। जब आगे का पूर्वाग्रह लागू किया जाता है, तो पी-साइड पर छेद और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन जंक्शन के विपरीत पक्षों की ओर आकर्षित होते हैं, जिससे करंट का प्रवाह होता है।		पश्चदिशिक बायसित (रिवर्स बायस) एक ऐसी स्थिति है जिसमें एक पी-एन जंक्शन अपने प्राकृतिक फॉरवर्ड बायस के विपरीत दिशा में बायस्ड होता है। पी-एन जंक्शन में, पी-साइड में छिद्रों की उच्च सांद्रता होती है और एन-साइड में इलेक्ट्रॉनों की उच्च सांद्रता होती है। जब आगे का पूर्वाग्रह लागू किया जाता है, तो पी-साइड पर छेद और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन जंक्शन के विपरीत पक्षों की ओर आकर्षित होते हैं, जिससे करंट का प्रवाह होता है।

	~~रिवर्स बायस~~ में, पी-साइड वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल से जुड़ा होता है और एन-साइड वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल से जुड़ा होता है। यह जंक्शन पर एक संभावित अवरोध पैदा करता है जो धारा के प्रवाह को रोकता है।यह जंक्शन पर एक संभावित अवरोध पैदा करता है जो धारा के प्रवाह को रोकता है।		पश्चदिशिक बायसित में, पी-साइड वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल से जुड़ा होता है और एन-साइड वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल से जुड़ा होता है। यह जंक्शन पर एक संभावित अवरोध पैदा करता है जो धारा के प्रवाह को रोकता है।यह जंक्शन पर एक संभावित अवरोध पैदा करता है जो धारा के प्रवाह को रोकता है।

	== कार्य सिद्धांत ==		== कार्य सिद्धांत ==
	जब पी-एन जंक्शन पर ~~रिवर्स बायस~~ लागू किया जाता है, तो निम्नलिखित होता है:		जब पी-एन जंक्शन पर पश्चदिशिक बायसित लागू किया जाता है, तो निम्नलिखित होता है:

	* पी-साइड पर छेद वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं।		* पी-साइड पर छेद वोल्टेज स्रोत के नकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन वोल्टेज स्रोत के सकारात्मक टर्मिनल की ओर आकर्षित होते हैं।
	* यह जंक्शन पर एक कमी क्षेत्र बनाता है, जो बहुत कम मुक्त चार्ज वाहक वाला क्षेत्र है।		* यह जंक्शन पर एक कमी क्षेत्र बनाता है, जो बहुत कम मुक्त चार्ज वाहक वाला क्षेत्र है।
	* ~~रिवर्स बायस~~ वोल्टेज बढ़ने पर कमी क्षेत्र चौड़ा हो जाता है।		* पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज बढ़ने पर कमी क्षेत्र चौड़ा हो जाता है।

	== विपरीत पूर्वाग्रह विशेषताएँ ==		== विपरीत पूर्वाग्रह विशेषताएँ ==
	~~रिवर्स बायस~~ की कुछ महत्वपूर्ण विशेषताएं निम्नलिखित हैं:		पश्चदिशिक बायसित की कुछ महत्वपूर्ण विशेषताएं निम्नलिखित हैं:

	===== ब्रेकडाउन वोल्टेज =====		===== ब्रेकडाउन वोल्टेज =====
	ब्रेकडाउन वोल्टेज ~~रिवर्स बायस~~ वोल्टेज है जिस पर पी-एन जंक्शन टूट जाता है और करंट प्रवाहित होने लगता है।		ब्रेकडाउन वोल्टेज पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज है जिस पर पी-एन जंक्शन टूट जाता है और करंट प्रवाहित होने लगता है।

	===== रिवर्स करंट =====		===== रिवर्स करंट =====
	रिवर्स करंट वह छोटी धारा है जो ~~रिवर्स बायस्ड~~ पी-एन जंक्शन से बहती है।		रिवर्स करंट वह छोटी धारा है जो पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शन से बहती है।

	===== कैपेसिटेंस =====		===== कैपेसिटेंस =====
	~~रिवर्स बायस्ड~~ पी-एन जंक्शनों में कैपेसिटेंस होता है।		पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शनों में कैपेसिटेंस होता है।

	== गणितीय समीकरण ==		== गणितीय समीकरण ==
	निम्नलिखित गणितीय समीकरण ~~रिवर्स बायस्ड~~ पी-एन जंक्शन में कमी क्षेत्र की चौड़ाई का वर्णन करता है:		निम्नलिखित गणितीय समीकरण पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शन में कमी क्षेत्र की चौड़ाई का वर्णन करता है:

	<math>W= \sqrt {(2\epsilon V_{bi} / q(N_a+N_d))},</math>		<math>W= \sqrt {(2\epsilon V_{bi} / q(N_a+N_d))},</math>
Line 38:		Line 38:
	* <math>N_d</math>एन-साइड पर दाता अशुद्धियों की सांद्रता है		* <math>N_d</math>एन-साइड पर दाता अशुद्धियों की सांद्रता है

	निम्नलिखित गणितीय समीकरण ~~रिवर्स बायस्ड~~ पी-एन जंक्शन में रिवर्स करंट का वर्णन करता है:		निम्नलिखित गणितीय समीकरण पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शन में रिवर्स करंट का वर्णन करता है:

	<math>I_r = I_s * (exp(qV_r / kT) - 1),</math>		<math>I_r = I_s * (exp(qV_r / kT) - 1),</math>
Line 46:		Line 46:
	* <math>I_r</math> विपरीत धारा है		* <math>I_r</math> विपरीत धारा है
	* <math>I_s</math> संतृप्ति धारा है		* <math>I_s</math> संतृप्ति धारा है
	* <math>V_r</math>~~रिवर्स बायस~~ वोल्टेज है		* <math>V_r</math>पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज है
	* <math>k</math> बोल्ट्ज़मान स्थिरांक है		* <math>k</math> बोल्ट्ज़मान स्थिरांक है
	* <math>T</math> केल्विन में तापमान है		* <math>T</math> केल्विन में तापमान है

	== रेखांकन ==		== रेखांकन ==
	निम्नलिखित ग्राफ एक विशिष्ट पी-एन जंक्शन के लिए कमी क्षेत्र की चौड़ाई और ~~रिवर्स बायस~~ वोल्टेज के बीच संबंध दिखाता है:		निम्नलिखित ग्राफ एक विशिष्ट पी-एन जंक्शन के लिए कमी क्षेत्र की चौड़ाई और पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज के बीच संबंध दिखाता है:
	[[File:Pn-junction-equilibrium.svg\|left\|thumb\|पीएन-जंक्शन-संतुलईत अवस्था ]]		[[File:Pn-junction-equilibrium.svg\|left\|thumb\|पीएन-जंक्शन-संतुलईत अवस्था ]]


	ग्राफ से पता चलता है कि कमी क्षेत्र की चौड़ाई ~~रिवर्स बायस~~ वोल्टेज के साथ बढ़ती है।		ग्राफ से पता चलता है कि कमी क्षेत्र की चौड़ाई पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज के साथ बढ़ती है।
	[[File:PN Junction in Reverse Bias.png\|thumb\|~~रिवर्स बायस~~ में पीएन जंक्शन]]		[[File:PN Junction in Reverse Bias.png\|thumb\|पश्चदिशिक बायसित में पीएन जंक्शन]]
	ग्राफ एक विशिष्ट पी-एन जंक्शन के लिए रिवर्स करंट और ~~रिवर्स बायस~~ वोल्टेज के बीच संबंध दिखाता है:		ग्राफ एक विशिष्ट पी-एन जंक्शन के लिए रिवर्स करंट और पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज के बीच संबंध दिखाता है:

	ग्राफ से पता चलता है कि ~~रिवर्स बायस~~ वोल्टेज के साथ रिवर्स करंट तेजी से बढ़ता है।		ग्राफ से पता चलता है कि पश्चदिशिक बायसित वोल्टेज के साथ रिवर्स करंट तेजी से बढ़ता है।

	== ~~रिवर्स बायस~~ के अनुप्रयोग ==		== पश्चदिशिक बायसित के अनुप्रयोग ==
	~~रिवर्स बायस्ड~~ पी-एन जंक्शनों का उपयोग विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में किया जाता है, जिनमें शामिल हैं:		पश्चदिशिक बायसित्ड पी-एन जंक्शनों का उपयोग विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में किया जाता है, जिनमें शामिल हैं:

	* डायोड		* डायोड
Line 71:		Line 71:

	== संक्षेप में ==		== संक्षेप में ==
	सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स में ~~रिवर्स बायस~~ एक महत्वपूर्ण अवधारणा है। इसका उपयोग विभिन्न प्रकार के उपकरणों और सर्किट में किया जाता है।		सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स में पश्चदिशिक बायसित एक महत्वपूर्ण अवधारणा है। इसका उपयोग विभिन्न प्रकार के उपकरणों और सर्किट में किया जाता है।
	[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]		[[Category:अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी - पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ]][[Category:कक्षा-12]][[Category:भौतिक विज्ञान]]